Сегодня корпорация Intel представит в России инновационные производственные технологии и продукцию нового поколения, процессоры, созданные на базе передовой 45-nm технологии. Напомним, процессор, выполненный по 65-mn технологии, был представлен корпорацией в 2005 году.
Сегодня корпорация Intel представит в России инновационные производственные технологии и продукцию нового поколения, процессоры, созданные на базе передовой 45-nm технологии. Напомним, процессор, выполненный по 65-mn технологии, был представлен корпорацией в 2005 году.
Дата презентации выбрана не случайно. Именно в декабре 60 лет назад был создан первый транзистор. Его авторами стали американские физики, нобелевские лауреаты У. Шокли, У. Браттейн и Д. Бардин. Отметим, что в современных продуктах в одном процессоре содержится уже до 820 миллионов транзисторов.
Впервые за последние 40 лет в создание полупроводниковых транзисторов привнесены изменения, отмечает пресс-служба корпорации Intel. В частности — диэлектрик на основе гафния с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости — hi-k, и металлический затвор. Эти изменения позволяют качественно изменить характеристики продукции, в частности, снизить тепловыделение, а также повысить ценность других потребительских качеств.
Следующей ступенью на технологической лестнице станет внедрение 32-nm технологии, продукты которой уже разработаны и тестируются. По традиции корпорации, новые технологии выходят на рынок каждые два года.
