Корпорация Intel продемонстрировала самый передовой в мире технологический процесс производства микросхем с проектной нормой 90 нм, обладающий целым рядом уникальных характеристик. Intel планирует внедрить новый технологический процесс в массовое производство в 2003 году. Он будет использоваться для производства микропроцессоров и другой продукции Intel.
В новом процессе применяется целый ряд передовых технологий:
самые маленькие в мире серийно изготавливаемые КМОП-транзисторы с длиной затвора всего 50 нм (это обеспечивает повышение производительности и снижение энергопотребления);
самый тонкий оксидный слой затвора среди всех когда-либо применявшихся в производстве транзисторов — всего 1,2 нм (менее 5 атомарных слоев в толщину);
первая в отрасли реализация высокоэффективной технологии напряженного кремния.
В слоях напряженного кремния расстояние между атомами больше, чем в обычном полупроводнике. Это обеспечивает более свободное протекание тока, аналогично тому, как на дороге с более широкими полосами движения свободнее и быстрее движется транспорт. Итоговый результат — улучшение на 10−20% рабочих характеристик транзисторов при росте затрат на производство всего в 2%.
Все эти особенности в сочетании с 300-мм кремниевыми подложками дают корпорации Intel выигрыш в производительности, объемах производства и себестоимости. В выигрыше оказываются и потребители, поскольку новый технологический процесс Intel позволит продолжать развитие отрасли в соответствии с законом Мура, вновь и вновь повышая производительность и увеличивая время автономной работы широкого спектра продукции — от самых мощных настольных ПК и серверов до самых совершенных мобильных ПК и карманных устройств.
